美國科學家開發出一種簡單、可行的碳納米管混合物的淨化方式。其可借助紫外線和空氣中的氧生成淨化的半導性納米管，這對發展下一代計算機芯片具有非凡價(jia) 值。相關(guan) 文章發表於(yu) 近期的《納米快報》網絡版。

　　由於(yu) 碳納米管具有*的形狀和電子性能，極有希望成為(wei) 未來電子元件的主要原材料。然而，碳原子的排列方式不同，可使納米管呈現出高導電（金屬性）或半導電的性質。多達三分之一的新合成的碳納米管樣本都顯示出金屬的高導性質，這為(wei) 基於(yu) 半導性的晶體(ti) 管等電子設備增添了不少麻煩。

　　由於(yu) 金屬的阻力zui小，電流將隻通過高導性的碳納米管。之前的研究一直依賴於(yu) 將金屬性碳納米管分離出來，以解決(jue) 這個(ge) 棘手問題。現在，來自美國南加州大學的研究小組開發出了一種更簡易的方式：通過紫外線使碳納米管發生氧化，在金屬性納米管的碳原子結構內(nei) 形成缺陷，從(cong) 而使均化的納米管顯現出半導體(ti) 的性質。

　　在正確的波長範圍內(nei) ，紫外線將破壞空氣中的氧分子，產(chan) 生氧自由基和臭氧。它們(men) 將攻擊碳納米管，使其表麵附著上氧分子群。這一過程不會(hui) 對半導性碳納米管造成很大影響，卻能顯著降低金屬性碳納米管的導電性。

　　英國薩裏大學的碳納米管專(zhuan) 家大衛·凱裏表示，高導性至半導性的轉換使得碳納米管具備了出色的晶體(ti) 管特性，使用碳納米管製成的半導體(ti) 設備具有很大潛力。通過去除金屬性納米管，可增加晶體(ti) 管的開關(guan) 電流比率，實現半導體(ti) 設備的真正關(guan) 閉。更重要的是，這一過程能使大量的材料即刻實現轉換，或者說可以在過程的zui後一步進行這種轉換。凱裏認為(wei) ，這一成果為(wei) 基於(yu) 碳納米管的納米電子設備打開了大門。

　　英國南安普敦大學的愛莉絲(si) ·南德哈庫瑪博士則顯得更為(wei) 慎重，她認為(wei) 仍需進行進一步的研究，以確證這一成果的產(chan) 業(ye) 推廣可能性。但她同時表示，如能實現此項成果的真正應用，這無疑將是一項令人振奮的突破。